Photodiodes APD InGaAs

Constructeur: Excelitas Technologies
Réf. HTTS: HTS-OPT-0021
Réf. HTDS: COMPOSANTS PIN SPECIAUX QUADRANT SANDWICH
Division: Optoélectronique

Galerie et schémas techniques

Description

Nos APDs InGaAs fournissent une grande efficacité quantique, une réactivité élevée et un faible bruit sur une plage spectrale comprise entre 1100 et 1700nm, avec des zones actives allant jusqu’à 200µm de diamètre. Elles sont optimisées pour une utilisation à 1550nm et conviennent parfaitement aux applications de télémétrie laser sans danger pour les yeux. Proposées dans un boitier TO18 ou montées sur support céramique, elles sont disponibles avec amplificateur de transimpédance à faible bruit et refroidisseur thermoélectrique intégré (Cf Module APD).

Une photodiode à avalanche est un composant optoélectronique qui se distingue des autres détecteurs par l’effet avalanche permettant de générer un gain très important (qui peut être supérieur à 500) par rapport à une photodiode PIN. Ce gain permet de détecter des flux lumineux très faibles.

Mesures précises et haute sensibilité dans l'infrarouge proche.

Caractéristiques

Plage spectrale : 1100-1700 nm
Efficacité quantique élevé
Faible bruit
Fort gain
Larges surfaces disponibles

Spécifications techniques

(: ) ( ), is the excess noise factor, around 5.5 for InGaAs,
area: reference 1 compliance? screening
Model: Active Package Type Package Window RoHS Additional
Notes: 1. Glass material is transparent for visible and IR wavelengths, while Silicon blocks visible light up to about 1.1μm.
C30645: C30662 C30662-1 Conditions
C30645E: 80μm Standard TO-18 See Figure 5 Silicon Small No
C30662E: 200μm Standard TO-18 See Figure 5 Glass Small No
Table 1: Electrical Characteristics at TA = 22°C
Table 2: Ordering Guide and Packaging information
3. Gain,: and quantum efficiency, , are not directly measurable quantities. The numbers quoted are estimated typical values. Gain,
C30644EH: 50
C30645EH: 80
C30662EH: 200
Figure 1: Spectral Responsivity Curve as a function of wavelength (M = 10)
Figure 2: Typical Gain, M, as a function of voltage bias
Figure 3: Typical Gain as a function of deltaV, Vbr-Vop
Figure 4: Ceramic package Figure 5 : Standard TO-18, small aperture
Figure 6: Standard TO-18, large aperture (reference dimensions, in mm)
Parameter: Units
Telephone: (+1) 450.424.3300 Germany Telephone: (+65) 6775 2022 (Main)
Toll-free: (+1) 800.775.6786 Telephone: (+49) 611 492 430 Telephone: (+65) 6770 4366 (Customer Service)
C30645EH-1: Standard TO-18 See Figure 6 Glass Large Yes
C30662CERH: 200
C30662EH-1: 200
C30662EH-3: Standard TO-18 See Figure 5 Glass Small Yes
C30644ECERH: 50
C30645ECERH: 80
C30662ECERH: Ceramic Carrier See Figure 4 N/A N/A Yes
Capacitance: 1.25 2.5 pF
Références: Diamètre actif(µm)
C30662ECERH-1: 200
Canada J7V 8P7: D-65199 Wiesbaden Singapore 138628
Active Diameter: 80 200 200 μm
Forward Current: 5 mA
www.excelitas.com: Page 5 of 5 C30645 C30662 Series-Rev.1.2-2013.02
Bandwidth (@ M=10): 1000 600 850 MHz
22001 Dumberry Road: GmbH & Co. KG 1 Fusionopolis Walk, #11-02
Storage Temperature: -60 to +125 °C
Operating Temperature: -20 to +70 °C
1. A specific voltage,: , is supplied with each device. When the photodiode is operated at this voltage (at 22 °C), the device will meet the
Excelitas Technologies: Excelitas Technologies Excelitas Technologies Singapore, Pte. Ltd.
Breakdown voltage (Vbr): 45 50 70 45 50 70 45 50 70 V
Total Power dissipation: 20 mW
Maximum Useable Gain (M): 10 20 10 20 No units
Responsivity (@ 1550 nm): 9.3 9.3 A/W
Vaudreuil-Dorion, Quebec: Wenzel-Jaksch-Str. 31 Solaris South Tower
Dark Current (@ M=10) (id): 3 50 45 150 nA
[email protected]: [email protected] [email protected]
(reference dimensions, in mm): (reference dimensions, in mm)
Quantum Efficiency (1300-1550 nm): 75 75 %
Soldering Temperature (10 seconds): 250 °C
Spectral Noise Current (@ M=10) (in): 0.2 1.0 0.7 1.5 pA/rt(Hz)
Operation Point from Breakdown (Vbr-Vop): 4.0 V (@ M=10) (Note 6)
Temperature Coefficient of Vbrfor Constant Gain: 0.14 0.20 0.14 0.20 V / deg C