Photodiodes APD

Constructeur: Excelitas Technologies
Réf. HTTS: HTS-OPT-0020
Réf. HTDS: MODULES AVALANCHES REFROIDIES
Division: Optoélectronique

Galerie et schémas techniques

Description

Nos APD Silicium sont idéales pour des applications nécessitant une détection de photon à haute vitesse et à faible bruit entre 400 et 1100 nm. Elles se caractérisent en effet par un faible bruit, une efficacité quantique et un gain élevé tout en conservant une tension de fonctionnement relativement basse. Nous proposons un choix de zone active important afin de couvrir une grande variété d’application. Nos C30902SH peuvent être utilisées en mode linéaire (Vr<Vbr) ou en mode Geiger (Vr>Vbr) comme compteur de photons. Cette gamme est particulièrement adaptée aux mesures de photons pour les applications biomédicales et analytiques. Le contrôle de la température peut être obtenu avec un refroidisseur thermoélectrique (TEC) pouvant améliorer le bruit et la réactivité ou pour maintenir une réactivité constante sur une large plage de température. Nous proposons une gamme de photodiodes à avalanche quadrants (C30927EH) fabriquées sans zone morte entre les éléments et dont l’efficacité quantique est optimisée à 1060, 900 et 800 nm, pour la détection YAG et l’alignement laser.

Une photodiode à avalanche est un composant optoélectronique qui se distingue des autres détecteurs par l'effet avalanche permettant de générer un gain très important (qui peut être supérieur à 500) par rapport à une photodiode PIN. Ce gain permet de détecter des flux lumineux très faibles.

Idéales pour des mesures précises et rapides dans diverses applications optiques.

Caractéristiques

Efficacité quantique élevée
Faible bruit
Fort gain
Customisation sur demande

Spécifications techniques

Jp: 5 mA/mm At 22 °C ; Continuous operation
tr: 2 3 ns
-0.8: -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8
Gain: M 120
Package: TO-5
C30817EH: 0.8
C30884EH: 0.8
C30902BH: 0.5
C30902EH: 0.5
C30902SH: 0.5
C30916EH: 1.5
C30954EH: 0.8
C30955EH: 1.5
C30956EH: 3
Parameter: Symbol Min. Typ. Max. Units Remarks / Conditions
Soldering: 200 °C 5 seconds, leads only
Telephone: (+1) 450 424 3300 Germany Telephone: (+65) 6770 4366 (Customer Service)
Toll-free: (+1) 800 775 6786 Telephone: (+49) 611 492 430 Fax: (+65) 6778-1752
at 900 nm: Q.E. 85 %
C30902EH-2: 0.5
C30902SH-2: 0.5
at 1060 nm: 18
f = 10 kHz: in 1.0 2.0 pA/√Hz
peak value: 50
C30902SH-TC: 0.5
C30927EH-01: 1.55
C30927EH-02: 1.55
C30927EH-03: 1.55
Capacitance: Cd 2 4 pF
C30902SH-DTC: 0.5
Références: Diamètre actif(mm)
average value: IF 5 max. mA
Test conditions: Case temperature = 22˚C, Detector center = 0, Spot diameter= 0.0254 mm
Typical Gain, M: V = 50V
Useful diameter: d 0.8 mm
Breakage Voltage: Vbr 300 375 475 V
Operating Voltage: Vop 275 425
Series Resistance: Rs 15 Ω
www.excelitas.com: Page 7 of 7 C30817-Rev.1.1-2016.08.09
Total Dark Current: Id 50 200 nA
22001 Dumberry Road: GmbH & Co. KG 8 Tractor Road
Maximum Total Power: 0.1 W Dissipation at 22 °C
Storage Temperature: Tstg -60 100 °C
Photocurrent Density: 2
Operating Temperature: To -40 70 °C
Excelitas Technologies: Excelitas Technologies Excelitas Technologies Singapore, Pte. Ltd.
[email protected]: [email protected]
Vaudreuil-Dorion, Quebec: Wenzel-Jaksch-Str. 31 Singapore 627969
Reverse Bias Dark Current: 100 max. μA
Useful area A 0.5 mm² Shape: Circular
For incident radiation at angles: , but , the photosensitive surface is partially illuminated.
Nominal field of view α (see Figure 9): FoV 119 Degrees
Canada J7V 8P7 D-65199 Wiesbaden Telephone: (+65) 6775 2022 (Main number)
Nominal field of view α’ (see Figure 9): 132
Temperature Coefficient of Vop for Constant Gain: 2.2 V/°C
The C30817EH is a general-purpose silicon avalanche photodiode: Rise time and Fall time typically 2ns
made using a double-diffused “reach through” structure. This:  Wide Operating Temperature Range